2019年中科院公布新科院士, 造假大咖浙江大学叶志镇成功当选

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2019年中科院公布新科院士, 造假大咖浙江大学叶志镇成功当选

中科院共选出新科院士69名，分别如下：　　信息学部：

王怀民、段广仁、冯登国、崔铁军、江风益，相里斌，王金龙

数理学部：

方忠，常进，常凯，陆夕云，叶向东，高原宁，汤超，张继平，林海青，赵红卫，孙斌勇

技术学部：

张跃、叶志镇、彭练矛、朱美芳、贾振元、王秋良、赵天寿、吴宜灿、李东旭、段进、赵阳升、郑泉水

化学部：

张锦、李景虹、杨金龙、俞书宏、樊春海、施剑林、吴骊珠、马大为、徐春明、陈学思

生命医学部：

基础生物：马兰、董晨、骆清铭；

医学：宋尔卫、陈子江，仝小林、王松灵；　　农学：钱前、谢道新、郝小江

地学部：

朱永官、王焰新、李献华、肖文交、赵国春、成秋明、王赤、孙和平、彭建兵、戴永久

刚在网上看到中国科学院2019新科院士名单，其中造假的浙江大学叶志镇成功当选为2019年中国科学院院士，这难道不是中国科学界的奇耻大辱吗？

现在，让我们再次观摩一下叶志镇院士极其了得的造假能力和水平！（以下内容摘自新语丝以前的文章）

一、 大规模一稿多投。

叶志镇多次多作者一稿五投、一搞三投、一稿两投。搜索了部分相关文章全文，一组７组，共19篇文章（涉及文章见下面清单）。　　部分文章第一作者是他本人，部分通讯作者是他本人，还有通讯作者是其他人，但邮箱确是叶志镇本人的。大多数论文文字图谱完完全全一样，有的部分论文图谱一样，文字略有变动，分投了不同的杂志，投稿日期接近，最厉害是同样一个内容做成了7篇英文论文，发表在不同的国际杂志上。而且叶志镇等似乎精通反打假术，在abstract和作者顺序以及作者姓名的翻译方法上精心作了改变．如叶志镇本人的英文名在一稿多投时就用了YE ZHIZHENG, YE ZHIZHEN, Zhizhen Ye, YE Zhi-Zhen, Z Z Ye, Z. Z. YE等多种，以防被检索发现。

叶志镇重复投稿的论文清单，共七组，十九篇。

第一组论文：　　（以下两篇论文文字图谱几乎一模一样，作者姓名巧妙改变）　　1. An investigation on the epitaxial growth of GaN 　　film on Si(111) substrate，H. X. Zhang, Z. Z. Ye, B. H. Zhao，　　Journal Of Materials Science Letters 19 (2000) 529– 531　　2. Investigation of preparation and properties of epitaxial growth GaN “lm on Si(1 1 1) substrate，Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao，Journal of Crystal Growth 210 (2000) 511-515

第二组论文：　　(以下五篇论文在第一组论文基础上，增减少量图谱，内容一样)　　1. An investigation of structural, optical and electrical properties of GaN thin films grown on Si(111) by reaction evaporation，Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao，Solid-State Electronics 46 (2002) 301–306　　2. Hexagonal GaN epitaxial growth on silicon (111) by a vacuum reactive evaporation， Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, and Binghui Zhao，phys. Stat.sol. (a), 177(2000)485　　3. Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum reactive evaporation， Journal of Applied Physics Vol. 87, No. 6, (2000)，2830－2833　　4. Structure and photoluminescence characterization of GaN film grown on Si (111) substrate，Ye ZHI-zhen, Zhang HAO-xiang, Lu HUAN-ming, Zhao BIN-hui, CHIN.PHYS.LETT.,Vol.16, No.4.(1999)293　　5. X-ray diffraction, photoluminescence and secondary ion mass spectroscopy study of GaN films grown on Si(111) substrate by vacuum reactive evaporation, Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao and Hongxue Liu, Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 649–652.

第三组论文：　　（以下三篇论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作改变。　　其中第2篇和第3篇几乎一字未改）　　1. 掺碳锗硅合金最新研究进展，亓震，叶志镇，材料科学与工程，第16 卷第3期, (1998)22　　2. 掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展，亓震，叶志镇，黄靖云，卢焕明，赵炳辉，半导体光电，第20 卷第3期, (1999)154　　3. 锗硅碳合金的制备及其性能研究进展，亓震，卢焕明，赵炳辉，黄靖云，叶志镇，半导体技术，第24 卷第5期, (1999)1

第四组论文：　　（以下两篇中文论文内容基本相同，文字也改变较少，作者名字顺序稍作改变。）　　1. UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效，叶志镇，章国强，亓震，黄靖云，卢焕明，赵炳辉，汪雷，袁骏，第21卷第3期，半导体学报，Vol. 21. No. 3， (2000)239　　2. 锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究，章国强，黄靖云，亓震，卢焕明，赵炳辉，汪雷，叶志镇，材料科学与工程，第18 卷第1 期, (2000)25

第五组论文：　　（以下两篇论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作改变。）　　1. Effects of oxygen pressure on the c -axis oriented growth of LiNbO3 thin film on SiO2/Si substrate by pulsed laser deposition， Xinchang Wang，Junhui He，Jingyun Huang, Binghui Zhao, Zhizhen Ye　　 Journal of Materials Science Letters 22, 2003, 225– 227　　2. Growth and characterization of C -oriented growth of LiNbO3 thin film on Si (100) by PLD, Xinchang Wang，Zhizhen Ye, Junhui He, Jingyun Huang, Binghui Zhao, International Journal of Mordern 　　Physics, Vol.16, Nos.28-29, (2002)4343

第六组论文：　　（以下三篇外文论文内容基本相同，图谱也基本相同）　　1. A novel technique to grow Ge quantum dots on porous Si by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, Jingyun Huang, Zhizhen Ye, Lei Wang，Journal of Materials Science Letters 21, 2002, 129– 131　　　　2. Area preferental nucleation of Ge nano-dots on nano-size porous silicon, Jingyun Huang, Zhizhen Ye, Haiyan Zhang, Xianfeng Ni, Materials Research Bulletin, 37(2002)793　　3. Photoluminescence of Ge quantum dots prepared on porous silicon by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, Jingyun Huang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao, Xiangyang Ma, Yadong Wang, Applied Physics Letters, Vol. 78, No. 13, ( 2001)1858

第七组论文：　　（以下两篇论文内容和图谱基本相同，连文字也改变较少。）　　1. Effect of substrate temperature on the properties of Zn1-xMgxO films on silicon, Zou Lu, Ye Zhizhen, Huang Jingyun, Zhao Binhui, International Journal of Mordern Physics, Vol.16, Nos.28-29, (2002)4255-4258　　2. Structure and charactrization and photoluminecent preperties of Zn1-xMgxO films on silicon, ZOU Lu, YE Zhi-zhen, HUANG Jing-yun, ZHAO Bin-hui, CHIN.PHYS.LETT., Vol.19, No.9. (2002)1350

二、 论文数据造假。(列出４篇文章)其中还涉及一稿多投。

本人列举2009年网上相继揭发叶志镇2004，2005，2007年所发表论文的试验数据造假，不可信的几个例证，并且找出随后叶对几年前这几篇相关论文的撤稿声明和换数据，换图的证据。

事例一“如上事例二所述，同一个图谱的所述实验条件是不同的，只能说明其中至少有一个数据是虚假的！　叶志镇2009年撤稿（2005和2006年发表）的其中两文章如下:　　1. Yuan G.D. , Zhu L.P., Ye Z.Z., Qian Q., Zhao B.H., Fan R.X. Thin solid films, 484, 420-425, 2005. 2. Yuan G.D., Ye Z.Z., Qian Q., Zhu U.P., Huang J.Y., Zhao B.H. Journal of crystal growth, 273, 451-457,2005. 这两篇文章, 第一作者都是G . D. Yuan, 根据叶中文文章里的作者名字，应该叫袁国栋。通讯作者叶志镇，两篇文章的撤稿时间都是在新语丝揭露其造假以后. 其中一篇撤稿的理由是” The secondary ion mass spectrometry (SIMS) profile published in this paper had already been included in articles published in Mater. Lett., 58 (2004) 3741–3744 and in J. Crystal Growth, 273 (2005) 451–457. In the former, the SIMS data describe a sample prepared under different conditions. The author did not notify either the Thin Solid Films Editors or the coauthors of this fact. The author apologizes sincerely to the readers, referees, and Editors for violating the guidelines of ethical publication. Also the author apologizes to the coauthors for mishandling of the manuscript.”　　从这两篇撤稿文章可以看出叶的确凿的造假以及一稿三投的事实：两篇文章都是在materials Letter 2004 年发表以后再发表的。里面的有部分内容完全相同，但是生长的条件却不同。…”

事例二 .一个同样光谱曲线或图形，却被给予两次不同的实验条件解释　　曾经有同行撰文披露，　“叶志镇发表在半导体学报26卷11期2664-2666页和APPLIED PHYSICS LETTERS 88, 173506的两篇文章里，作者都给出了电致发光的光谱。仔细检查两个光谱曲线，除了光谱波长范围的差别外，可以肯定地讲，在相同的波长范围内两条光谱曲线是完全相同的，甚至噪声信号都完全相同，可以肯定来源于同一次测试，或者来源于同一次伪造。但是，作者在两篇文章中对获得这两条曲线的测量条件给出了不同的说明。在APL的文章的Fig. 4中，明确标明二极管的驱动电流为40毫安，但半导体学报中却讲“图3 给出了室温下对ZnO 发光二极管加22V 正向偏压、80mA 电流时的电致发光谱”。我们基本可以认为在某一篇文章中叶志镇教授说了假话。” 　　接着2009年4月，APPLIED PHYSICS LETTERS94, 169901, 2009，刊登了叶志镇教授对三年前文章Appl. Phys. Lett. 88, 173506, 2006的勘误，“……我们报道了一个错误，LED的注入电流40mA应该是80mA，数据用了三次．．．

事例三. 接着又有同行在网上指出叶志镇的论文图形有问题后，2009年3月21日，J. Phys. D: Appl. Phys. 6 (2009) 69801又刊登了叶志镇教授的换图勘误，被替换文章是2007年1月发表的，J. Phys. D: Appl. Phys.40(2007) 1807–1810，勘误说明写道“……已经发表的图4应被以下正确的图替换主要有些数据点的位置作了改变。这是由于数据输入错误导致的，……”

三，叶志镇的最大成就是ZnO的P型掺杂项目，获得了自然科学二等奖，从2004年至今，叶志镇当年的学术实验过程依然无法复制。造假的丰碑永远屹立着。

同行曾写过短文： 叶志镇教授在P型ZnO薄膜成长这一块在国际上是享有“盛名”的。做P型ZnO薄膜的人都知道，ZnO的P型掺杂非常困难。可叶教授领导着一个能化腐朽为神奇的研究组。在他组里，多种材料通过多种方法均可以使ZnO实现P型，让老外佩服得不行。我读博士的时候，一天老板拿着一篇叶教授关于ZnO 薄膜P型掺杂的文章到我跟说，这是你们中国人的一篇ZnO 薄膜P型掺杂的文章(Journal of Crystal Growth 283， 2005， 180-184)，方法非常简单，你去试试。按照论文所述，我兴冲冲地去重复他的实验，结果根本不能实现P型掺杂。有趣的是，他这篇论文其中一个作者的单位竟然是浙江工业大学外语学院的。老板还问我，是不是很多中国人在外语学院还搞搞材料研究，我当时真想有个地缝能让我钻进去。其实并不是我一个人重复不出他的结果，国际上好多组都重复不出。问他要个样品来研究时，叶教授就支支吾吾，顾左右而言它，反正就是不给。

叶志镇在2008年底新语丝对他的学术不端行为有所披露后，2009年对被揭发出来的和未被揭发出来的大批论文（很多是几年前发表的的）进行了撤稿、换图、换数据，大家发现的涉及到的文章至少数十篇，叶志镇借一系列这样的论文造假，虚构科研成果，累计sci检索和引用等，骗取了国家自然科学二等奖，而这个自然科学二等奖是叶志镇无数次试水院士的基础！

恭喜学术造假大咖叶志镇，成功当选中国学术潮流的院士，成为中国学术人的楷模！

(XYS20191107)

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